來源：挖貝網

據日本經濟新聞報道，在近期召開的半（bàn）導體集成電路的頂級國際會議“ISSCC 2025”上（shàng），來自中國的論（lùn）文（wén）占到所有收錄論文數量的近40%，達（dá）92篇，約為（wéi）排名第二的美國的（de）1.7倍。

據了解，ISSCC是“IEEE International Solid-State Circuits Conference”的縮寫，是世界學術（shù）界和企業界公認的集成（chéng）電路設計領域最高級別（bié）會議，被認為是集成電路（lù）設計領域的“世界奧林匹克大會”。

此次會議期間，投稿論文數為914篇，為史上最高。但收錄論文數（shù）量僅為（wéi）246篇（piān），收錄率約為27%，未達過去的平均收錄率（30%）。其中（zhōng），來（lái）自中國的收錄論（lùn）文有92篇，約占總數的37%；美國、韓國分列第二和第（dì）三位，收錄論（lùn）文數量分（fèn）別為55篇和44篇（piān）。

分機構來看，我國北京大學和我國（guó）澳門大學被收錄的論文最多，均（jun1）為15篇。排在（zài）第3位的是清華大學，共有（yǒu）13篇，我國大學壟斷了收錄論文數量的（de）前3名。

模擬芯片領域論文占優 數字芯片領域仍需努力

雖然在此次ISSCC上，中國半（bàn）導體論文（wén）收錄（lù）數量（liàng）全球第一，是美國1.7倍，但依舊有一點（diǎn）不足，即：我國論（lùn）文隻（zhī）在模擬芯片（處（chù）理模擬（nǐ）信號的芯片，主要包括電源管理芯片、射（shè）頻芯片（piàn）等）領域占優，但在需要先進製程（chéng）的數字芯片（CPU、GPU、存儲芯（xīn）片等都屬於數字芯片）領域，依舊有很長的路要走。

日本信州大學的（de）宮地教（jiāo）授表示，中（zhōng）國在“無需依賴最先（xiān）進的製程技術，而是以電路設計創意取勝的領域”表現突出。在電源電路、RF（無線射（shè）頻）電路等模擬電路相關領域，中國研究人員發表的論文占據多（duō）數，在相（xiàng）關（guān）學術會（huì）議的多（duō）個專題中占據主導地位。

另一方麵，在處理器、DRAM、NAND型（xíng）閃存等（děng）需要最先進（jìn）製程技術的領域，中國的影響力相對較弱。例如，在存儲（chǔ）半導體（tǐ）領域，沒有一篇來自中國的關於（yú）DRAM和NAND的論（lùn）文被收錄。這背（bèi）後的原因（yīn）之一是美國主導（dǎo）的（de）對華出口管製政策，包括EUV（極紫外）光刻機對中國的出口禁令。